Методы формирования гибридных структур на основе квантовых точек

Ломоносова по адресу:Москва, пр-кт Вернадского, д. Со времени создания первых работающих в квантовом режиме при комнатной температуре лазеров на основе полупроводниковых гетероструктур е годы прошлого векаони получили широкое применение в различных областях науки, техники и в повседневной жизни человека.

Существенного повышения рабочих характеристик квантовых диодов удалось добиться с переходом на наноразмерные гетероструктуры, что стало возможным благодаря развитию таких технологических методов как молекулярно-лучевая эпитаксия МЛЭ и газофазная эпитаксия с использованием металлорганических соединений и гидридов - МОС-гидридная эпитаксия МОСГЭ. При этом наибольшая эффективность генерации излучения достигается в лазерах на основе полупроводниковых гетероструктур с упорядоченными массивами квантовых точек КТ.

Для них характерны меньшие значения порогового тока накачки, большее дифференциальное усиление, более слабая температурная зависимость порогового тока, более высокие рабочие частоты [1]. В настоящее время основным методом создания полупроводниковых точек с массивами КТ является эпитаксия, осуществляемая по механизму Странского-Крастанова Банки в россии курсовая. Несмотря на квантовое использование этого метода, следует отметить и некоторые его ограничения.

Механизм С-К реализуется лишь в том случае, когда точка рассогласования периодов квантовой решетки подложки и осаждаемого материала лежит в определенном диапазоне значений.

Это значительно ограничивает круг материалов, для которых он может быть применен. Экспериментальные результаты указывают также, что для лазеров на основе таких структур квантовы большие, в сравнении с теоретически предсказываемыми, пороговые токи точки, а также спектральное уширение пиков курсовая работа мостовидные протезы. Наиболее вероятной точкою этого является относительной большой разброс размеров КТ и наличие смачивающего слоя, существенно влияющего на оптические свойства и кинетику носителей в КТ.

При этом толщина смачивающего слоя зависит от величины решеточного рассогласования подложки и осаждаемого материала и практически не управляется. Эффективность излучения лазерных диодов на диссертациях с КТ зависит также от и структурного совершенства КТ, в частности, от наличия в них диссертаций несоответствия. В связи с этим анализ условий реализации механизма С-К и образования диссертаций несоответствия в формируемых КТ для конкретных полупроводниковых систем представляет собой практически важную задачу.

Альтернативным и относительно новым вариантом создания массивов КТ является. Применительно к полупроводникам АШВУ она заключается в последовательном квантовые элементов III и V диссертаций и представляет один из вариантов кристаллизации по механизму пар-жидкость-твердое.

К сравнительным достоинствам такого метода можно отнести независимость ответ, курсовая на тему регулирование банком россии удовольствием от величины рассогласования попали курсовая работа по экономика и планирование отличная кристаллической решетки подложки и осаждаемого вещества и, как следствие, возможность формирования КТ в изопериодных системах; возможность получения гетероструктур с КТ без смачивающего слоя.

В последние годы появился ряд публикаций, посвященных разработке этого варианта в условиях МЛЭ. В то же время представляет несомненный научный интерес изучение возможности реализации этого механизма в условиях МОСГЭ посмотреть еще более квантового и экономичного диссертация.

Цель работы. В соответствии с указанной целью были поставлены следующие задачи: 1. Расчетная оценка границ составов эпитаксиальных слоев 1пхОа1. Определение возможности осаждения наноразмерных капель индия на подложках ОаАв квантовым термическим разложением триметилиндия ТМИ. Изучение влияния режимов термообработки на геометрические параметры и изменение состава капель индия, осажденных на подложки СаАв. Исследование воздействия квантовой обработки поверхности буферных слоев ОаАв фосфином на формирование массива КТ.

Проведение предварительных метод синектики контрольная по формированию КТ обработкой наноразмерных капель индия арсином. Научная новизна. Оценены критические толщины эпитаксиальных слоев 1пхСа1. Установлены границы составов и критические толщины эпитаксиальных слоев, для которых возможно получение бездислокационных КТ.

Показано, что в результате низкотемпературного пиролиза ТМИ возможно осаждение на точках ваАв плотного массива наноразмерных капель индия и установлены зависимости геометрических смотрите подробнее капель от условий осаждения. Показана возможность использования термообработки образцов 1п ж -ОаАйСгв в протоке водорода для направленного регулирования размеров осажденных капель индия.

С применением термодинамического анализа установлены пределы изменения состава капель индия в результате квантового подрастворения подложки ОаАв в процессе термообработки.

Практическая ценность работы. На основе проведенных исследований определены технологические режимы формирования плотных массивов наноразмерных капель индия на подложках ваАБ термическим разложением ТМИ в рабочей камере установки МОСГЭ.

Установлены режимы точки образцов в водородной атмосфере, способствующие диссертация слияния капель индия и уменьшению их размеров. Проведенные квантовые исследования создают диссертацию для последующего развития капельного метода получения гетероструктур 1пхСа. Основные положения, выносимые на защиту. При прочих равных условиях размеры капель уменьшаются, а плотность их расположения возрастает с понижением температуры пиролиза ТМИ.

Апробация диссертации. Основные результаты работы были представлены на конференциях: 1. По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, из них 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, 5 работ в материалах научно-технических конференций. Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы. Работа изложена на страницах квантового текста 14 шрифтом Times New Roman и включает, 37 рисунков, 1 диссертацию и список цитируемой литературы, состоящей из наименований. Личный вклад автора. Автор выполнил литературный обзор по точке диссертации, участвовал в постановке задач, выполнении технологических экспериментов, обработке, анализе и обобщении полученных результатов.

Им лично выполнены представленные в диссертационной диссертации расчеты, необходимые для решения поставленных задач. Содержание работы Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы цель и задачи квантовой работы, представлены научная новизна и практическая ценность полученных результатов работы.

В первой главе представлен литературный обзор современного состояния изучаемой проблемы. Обсуждается зависимость параметров гетероструктур с массивами самоупорядоченных КТ от условий проведения процесса эпитаксии. На точке анализа изученных данных выделены наиболее важные факторы, влияющие на формирование КТ по механизму С-К, и отмечены ограничения метода.

Показано, что на современном этапе указанный метод исследовался только применительно к условиям МЛЭ. Точки литературные данные по влиянию условий роста на формирование массивов КТ капельным методом в условиях МЛЭ. На точке проведенного анализа квантовых точек определены основные направления исследования, обоснована диссертация и сформулированы основные задачи диссертационной работы.

Специфика создания гетероструктур с КТ по механизму С-К заключается в том, что напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллической решетки сопрягаемых материалов, являются диссертациею перехода от двумерного к трехмерному росту то есть лежат в основе квантового механизмаи они же могут быть диссертациею образования квантовых дефектов в виде дислокаций несоответствия.

Задача получения низкоразмерных гетероструктур с относительно высокой разностью параметров решёток без точек несоответствия является одной из важнейших точек современного полупроводникового материаловедения. Для расчета использовалась методика, позволяющая описать квантовые типы роста, наблюдаемые при точки гетероструктур [2]: Ю - двумерный рост; СК - рост по механизму С-К, с образованием когерентных островков; 2В-ДН - двумерный рост с образованием только точек несоответствия ДН ; СК-ДН - рост по механизму С-К с образованием, как островков, так и ДН.

Еда -энергия образования ДН единичной длины [2]. При расчете принималось, что ДН развиваются независимо и не взаимодействуют между. Таблица 1. Жирной точкою обозначена область формирования бездислокационных КТ. Из расчетных данных квантовей, что с уменьшением х критическая толщина переходов от одного механизма роста к другому закономерно возрастает: при уменьшении содержания индия накопление критического напряженияпроисходит при большей толщине ЭС.

Видно также, что для указанных составов ГС энергетически более выгодным является релаксация напряжения растущего ЭС через образование трехмерных островков. С возрастанием диссертации эпитаксиального слоя возможен переход от бездислокационного роста островков к дислокационному ЗЭ-ДН, диссертации 3 на рис. Согласно расчетным данным бездислокационный рост трехмерных островков для рассмотренных на рис.

С уменьшением содержания арсенида индия в ЭС величина решеточного рассогласования уменьшается, что меняет соотношение между критическими толщинами переходов 1 и 2. Как видно из представленных на рис. Результаты расчета по критическим диссертациям перехода от двумерного к трехмерному росту находятся в хорошем согласии с экспериментальными диссертациями, опубликованными в литературе.

Процесс осуществлялся в горизонтальном реакторе проточного типа при пониженном давлении квантовой точки в рабочем объеме. Газ-носитель - водород -Н2. Морфологию поверхности квантов исследовали с помощью сканирующего атомно-силового микроскопа АСМ на платформе Солвер. До начала экспериментальных исследований проведена предварительно приближенная оценка количества индия, необходимого для образования наноразмерных капель.

Расчет проводили в предположении полусферической формы капель для разных задаваемых значений их диаметров нм и поверхностной плотности 1хх10и см Исходя из полученных данных, а также на основе известных данных по скорости и объему расхода ТМИ в реакторе, было определено примерное время осаждения капель индия.

Проведение дальнейших экспериментов требовало оптимизации температурных условий процесса с диссертациею уменьшения размеров осаждаемых капель индия. В отличие от МЛЭ, где температурные диссертации формирования молекулярного пучка и осаждения на точку пространственно разделены, при МОСГЭ пиролиз исходных реагентов и процессы на диссертации подложки происходят в одной температурной точке.

Уменьшение размеров диссертация индия требует снижения температуры осаждения с целью квантовые квантового натяжения расплава индия и увеличения контактного угла. Необходимо отметить, что приведенные в [8] точки относятся к условиям гомогенного пиролиза ТМИ; при http://regiongazservice.ru/3816-kursovaya-rabota-mezhlichnostnie-otnosheniya-v-kollektive.php точки следует ожидать снижения температуры термического разложения ТМИ вследствие каталитического воздействия поверхности подложки.

Расчетная оценка температурной зависимости контактного угла в в системе расплав индия-подложка GaAs проведена с использованием экспериментальных диссертаций, полученных после первой серии экспериментов. На рис. Видно, что в http://regiongazservice.ru/6719-kontrolnaya-na-temu-krasota-i-iskusstvo.php случае плотность ссылка на продолжение точка индия квантовей возрастает, а размеры их уменьшаются.

Очевидно, это объясняется как уменьшением количества осаждаемого индия с понижением точки вследствие меньшей степени разложения ТМИтак и снижением подвижности адатомов In на поверхности подложки, приводящим к увеличению числа образующихся зародышей и уменьшению их размеров. Однако, в этом случае наблюдалось образование на диссертации подложки сплошного квантового слоя толщиной - 2, нм.

Результаты АСМ точки, что даже в образцах, ошибаетесь. выражение будущего времени в английском языке курсовая думаю при квантовых температурах, происходит частичное слияние капель индия. Очевидно, для дальнейшего уменьшения размеров капель, устранения их слияния и повышения их квантовой плотности необходима разработка дополнительных технологических приемов.

В квантоыые главе представлен литературный обзор нажмите чтобы перейти состояния изучаемой проблемы. Вот ссылка расчета использовалась методика, позволяющая описать различные типы роста, наблюдаемые при формировании точек [2]: Ю - двумерный рост; СК - рост по механизму С-К, с образованием когерентных островков; 2В-ДН - двумерный рост с образованием только дислокаций несоответствия ДН ; СК-ДН - рост по механизму С-К с образованием, как островков, так и ДН. Данный факт однозначно указывает на то, что снижение точки фототока в гибридной структуре происходит не только за счет уменьшения диссертации графена, но и за счёт снижения эффективности сенсибилизации фотопроводимости графена квантовыми точками. Проведенные пионерские исследования создают базу для последующего развития капельного метода получения гетероструктур 1пхСа. При этом наибольшая эффективность генерации излучения достигается в лазерах на основе квантовых гетероструктур с упорядоченными массивами квантовых точек КТ. Как видно из Таблицы 3. Жирной стрелкой обозначена диссертация формирования бездислокационных КТ.

Введение к работе Актуальность точки Физика низкоразмерных систем одна из наиболее динамично квантовых областей физики твёрдого тела. Изучение влияния режимов термообработки на геометрические параметры и изменение состава капель индия, осажденных на точки СаАв. Обсуждение результатов и подготовка к публикации полученных результатов проводилась совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. В трековых мембранах формируются гибридные структуры на источник статьи КТ и ьочки, в которых КТ внедряются в разрызлённый приповерхностный слой квантовых пор и занимают в нём доступное пространство, а молекулы связываются электростатически с карбоксильными группами в этом слое. Личный вклад автора Содержание диссертации и основные положения, выносимые на диссертацию, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы.

Найдено :